Los condensadores de película fina YMIN complementan perfectamente el MOSFET G2 CoolSiC™ de Infineon
El MOSFET G2 CoolSiC™ de carburo de silicio de nueva generación de Infineon lidera las innovaciones en gestión de energía.Los condensadores de película delgada YMIN, con su diseño de baja ESR, alto voltaje nominal, baja corriente de fuga, alta estabilidad de temperatura y alta densidad de capacidad, brindan un fuerte soporte para este producto, lo que ayuda a lograr alta eficiencia, alto rendimiento y alta confiabilidad, lo que lo convierte en una nueva solución para la conversión de energía en dispositivos electrónicos.
Características y ventajas de YMINCondensadores de película delgada
VSG baja:
El diseño de baja ESR de los condensadores de película fina YMIN maneja eficazmente el ruido de alta frecuencia en las fuentes de alimentación, complementando las bajas pérdidas de conmutación del CoolSiC™ MOSFET G2.
Alto voltaje nominal y baja fuga:
Las características de alto voltaje nominal y baja corriente de fuga de los capacitores de película delgada YMIN mejoran la estabilidad a alta temperatura de CoolSiC™ MOSFET G2, brindando un soporte sólido para la estabilidad del sistema en entornos hostiles.
Estabilidad a altas temperaturas:
La estabilidad a alta temperatura de los condensadores de película delgada YMIN, combinada con la gestión térmica superior de CoolSiC™ MOSFET G2, mejora aún más la confiabilidad y estabilidad del sistema.
Densidad de alta capacidad:
La alta densidad de capacidad de los condensadores de película delgada ofrece mayor flexibilidad y utilización del espacio en el diseño del sistema.
Conclusión
Los condensadores de película fina YMIN, como socio ideal para el MOSFET G2 CoolSiC™ de Infineon, muestran un gran potencial.La combinación de ambos mejora la confiabilidad y el rendimiento del sistema, brindando un mejor soporte para dispositivos electrónicos.
Hora de publicación: 27 de mayo de 2024