Los condensadores de película fina YMIN complementan perfectamente el MOSFET G2 CoolSiC™ de Infineon
El MOSFET G2 CoolSiC™ de carburo de silicio de nueva generación de Infineon lidera la innovación en gestión de energía. Los condensadores de película delgada YMIN, con su diseño de baja ESR, alta tensión nominal, baja corriente de fuga, alta estabilidad térmica y alta densidad de capacidad, ofrecen un sólido respaldo a este producto, lo que contribuye a lograr alta eficiencia, alto rendimiento y alta fiabilidad, convirtiéndolo en una nueva solución para la conversión de energía en dispositivos electrónicos.
Características y ventajas de YMINCondensadores de película delgada
ESR bajo:
El diseño de bajo ESR de los capacitores de película delgada YMIN maneja eficazmente el ruido de alta frecuencia en las fuentes de alimentación, complementando las bajas pérdidas de conmutación del CoolSiC™ MOSFET G2.
Alto voltaje nominal y baja fuga:
Las características de alto voltaje nominal y baja corriente de fuga de los capacitores de película delgada YMIN mejoran la estabilidad de alta temperatura del CoolSiC™ MOSFET G2, brindando un soporte sólido para la estabilidad del sistema en entornos hostiles.
Estabilidad a altas temperaturas:
La alta estabilidad de temperatura de los condensadores de película fina YMIN, combinada con la gestión térmica superior del CoolSiC™ MOSFET G2, mejora aún más la confiabilidad y la estabilidad del sistema.
Alta densidad de capacidad:
La alta densidad de capacidad de los condensadores de película delgada ofrece una mayor flexibilidad y utilización del espacio en el diseño del sistema.
Conclusión
Los condensadores de película fina YMIN, el complemento ideal para el MOSFET G2 CoolSiC™ de Infineon, presentan un gran potencial. La combinación de ambos mejora la fiabilidad y el rendimiento del sistema, ofreciendo un mejor soporte para los dispositivos electrónicos.
Hora de publicación: 27 de mayo de 2024