Conferencia magistral del PCIM
Shanghái, 25 de septiembre de 2025—Hoy a las 11:40 a. m., en el Foro Tecnológico PCIM Asia 2025 en el pabellón N4 del Nuevo Centro Internacional de Exposiciones de Shanghái, el Sr. Zhang Qingtao, vicepresidente de Shanghai YMIN Electronics Co., Ltd., pronunció un discurso inaugural titulado “Aplicaciones innovadoras de capacitores en nuevas soluciones de semiconductores de tercera generación”.
La charla se centró en los nuevos desafíos que plantean las tecnologías de semiconductores de tercera generación, como el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN), para condensadores en condiciones de funcionamiento extremas, como alta frecuencia, alto voltaje y alta temperatura. La charla presentó sistemáticamente los avances tecnológicos y ejemplos prácticos de los condensadores YMIN para lograr alta densidad de capacitancia, baja ESR, larga vida útil y alta confiabilidad.
Puntos clave
Con la rápida adopción de dispositivos de SiC y GaN en vehículos de nueva energía, almacenamiento de energía fotovoltaica, servidores de IA, fuentes de alimentación industriales y otros campos, los requisitos de rendimiento para los condensadores de soporte son cada vez más estrictos. Los condensadores ya no son solo funciones auxiliares; ahora son el motor fundamental que determina la estabilidad, la eficiencia y la longevidad de un sistema. Mediante la innovación de materiales, la optimización estructural y las mejoras de procesos, YMIN ha logrado mejoras integrales en los condensadores en cuatro dimensiones: volumen, capacidad, temperatura y fiabilidad. Esto se ha vuelto crucial para la implementación eficiente de aplicaciones de semiconductores de tercera generación.
Desafíos técnicos
1. Solución de alimentación para servidores de IA · Colaboración con Navitas GaN. Desafíos: Conmutación de alta frecuencia (>100 kHz), alta corriente de rizado (>6 A) y entornos de alta temperatura (>75 °C). Solución:Serie IDC3Condensadores electrolíticos de baja ESR, ESR ≤ 95 mΩ y una vida útil de 12 000 horas a 105 °C. Resultados: reducción del 60 % en el tamaño total, mejora de la eficiencia del 1 % al 2 % y reducción de la temperatura de 10 °C.
2. Fuente de alimentación de respaldo GB300-BBU para servidor NVIDIA AI · Reemplazo de la fuente de alimentación Musashi de Japón. Desafíos: Sobretensiones repentinas de la GPU, respuesta de milisegundos y degradación de la vida útil en entornos de alta temperatura. Solución:Supercondensadores cuadrados LICResistencia interna <1 mΩ, 1 millón de ciclos y carga rápida en 10 minutos. Resultados: reducción del 50 % al 70 % en tamaño, reducción del 50 % al 60 % en peso y compatibilidad con potencia máxima de 15 a 21 kW.
3. Fuente de alimentación ferroviaria Infineon GaN MOS480W que reemplaza a la Rubycon japonesa. Desafíos: Amplio rango de temperatura de funcionamiento de -40 °C a 105 °C, sobretensiones de corriente de rizado de alta frecuencia. Solución: Tasa de degradación a temperatura ultrabaja <10 %, resistencia a la corriente de rizado de 7,8 A. Resultados: Superó las pruebas de arranque a baja temperatura de -40 °C y las pruebas de ciclo de alta-baja temperatura con un 100 %, cumpliendo con el requisito de vida útil de más de 10 años de la industria ferroviaria.
4. Vehículo de nueva energíaCondensadores de enlace de CC· Compatible con el controlador de motor de 300 kW de ON Semiconductor. Desafíos: Frecuencia de conmutación > 20 kHz, dV/dt > 50 V/ns, temperatura ambiente > 105 °C. Solución: ESL < 3,5 nH, vida útil > 10 000 horas a 125 °C y un aumento del 30 % en la capacidad por unidad de volumen. Resultados: Eficiencia general > 98,5 %, densidad de potencia superior a 45 kW/L y aumento de la duración de la batería de aproximadamente un 5 %. 5. Solución de pila de carga GigaDevice de 3,5 kW. YMIN ofrece soporte integral.
Desafíos: la frecuencia de conmutación del PFC es de 70 kHz, la frecuencia de conmutación del LLC es de 94 kHz a 300 kHz, la corriente de ondulación del lado de entrada aumenta a más de 17 A y el aumento de la temperatura del núcleo afecta gravemente la vida útil.
Solución: Se utiliza una estructura paralela multipestaña para reducir la ESR/ESL. En combinación con el microcontrolador GD32G553 y los dispositivos GaNSafe/GeneSiC, se logra una densidad de potencia de 137 W/pulgada³.
Resultados: La eficiencia máxima del sistema es del 96,2%, el PF es de 0,999 y el THD es del 2,7%, lo que cumple con los requisitos de alta confiabilidad y vida útil de 10 a 20 años de las estaciones de carga de vehículos eléctricos.
Conclusión
Si está interesado en aplicaciones de vanguardia de semiconductores de tercera generación y desea aprender cómo la innovación en capacitores puede mejorar el rendimiento del sistema y reemplazar marcas internacionales, visite el stand de YMIN, C56 en el Hall N5, para una discusión técnica detallada.
Hora de publicación: 26 de septiembre de 2025